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（中央社記者張建中台北13日電）聯電接受中國大陸福建省晉華集成電路委託，開發DRAM相關製程技術，工研院IEK認為，短期應不致對產業造成影響，但未來仍不排除可能對市場造成干擾。 中國大陸積極朝向記憶體領域發展，除合肥市政府與日本爾必達前社長(土反)本幸雄合作，還有紫光及武漢新芯也傳出有意進軍動態隨機存取記憶體（DRAM）市場。 福建省政府投資的晉華集成電路又找上晶圓代工廠聯電合作開發DRAM相關製程技術。 聯電今天指出，將在南科廠籌組超過 100人團隊，投入利基型DRAM相關生產製程開發，初期將先開發32奈米製程技術，將由晉華提供DRAM特用設備，並依開發進度支付技術報酬金作為開發費用。 除在技術開發時期有開發權利金入帳外，聯電表示，未來投產後，晉華也將再支付權利金；另外，透過DRAM技術與邏輯技術結合，還有助強化聯電在系統單晶片（SOC）方面的競爭力。 對於聯電與晉華合作開發利基型DRAM製程技術，國內DRAM廠南亞科態度低調，並不評論。 工研院產業經濟與趨勢研究中心系統IC與製程研究部經理彭茂榮表示，聯電仍未投入技術開發，晉華也尚未建廠，估計至少1年內不會對DRAM產業造成影響。 只是目前中國大陸業者尚未跨入DRAM市場，市場波動即已相當劇烈，彭茂榮說，今年DRAM產品平均售價恐將下滑30%，產值將較去年衰退15%，預期未來隨著中國大陸廠商陸續搶進後，仍不排除對DRAM市場造成干擾。1050513
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